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2SA1048-Y

Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), PNP

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：SECOS

厂商官网：http://www.secosgmbh.com/

器件标准：

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
包装说明
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code
compli
最大集电极电流 (IC)
0.15 A
集电极-发射极最大电压
50 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
120
JEDEC-95代码
TO-92
JESD-30 代码
O-PBCY-T3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
极性/信道类型
PNP
最大功率耗散 (Abs)
0.2 W
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
BOTTOM
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
80 MHz
Base Number Matches
1
文档预览
2SA1048
Elektronische Bauelemente
-0.15 A, -50 V
PNP Plastic Encapsulated Transistor
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
FEATURES
TO-92S
REF.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
Millimeter
Min.
Max.
3.90
4.10
3.05
3.25
1.42
1.62
15.1
15.5
2.97
3.27
0.66
0.86
2.44
2.64
1.27 REF.
0.36
0.48
0.36
0.51
45°
Small Package
High Voltage
Excellent h
FE
Linearity
CLASSIFICATION OF h
FE
Product-Rank
Range
2SA1048-O
70~140
2SA1048-Y
120~240
2SA1048-GR
200~400
Collector


Base

Emitter
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C unless otherwise specified)
Parameter
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current - Continuous
Collector Power Dissipation
Thermal Resistance From Junction to Ambient
Junction, Storage Temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
J
, T
STG
Rating
-50
-50
-5
-0.15
200
625
150, -55~150
Unit
V
V
V
A
mW
°C / W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise specified)
Parameter
Collector to Base Breakdown Voltage
Collector to Emitter Breakdown Voltage
Emitter to Base Breakdown Voltage
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
DC Current Gain
Collector to Emitter Saturation Voltage
Transition Frequency
Collector Output Capacitance
http://www.SeCoSGmbH.com/
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
f
T
C
ob
Min
-50
-50
-5
-
-
70
-
80
-
Typ
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max
-
-
-
-0.1
-0.1
400
-0.3
-
7
Unit
V
V
V
μA
μA
Test condition
I
C
= -0.1mA, I
E
=0
I
C
= -1mA, I
B
=0
I
E
= -0.1mA, I
C
=0
V
CB
= -50V, I
E
=0
V
EB
= -5V, I
C
=0
V
CE
= -6V, I
C
= -2mA
V
MHz
pF
I
C
= -100mA, I
B
= -10mA
V
CE
= -10V, I
C
= -1mA
V
CB
= -10V, I
E
=0, f=1MHz
Any changes of specification will not be informed individually.
22-Aug-2013 Rev. E
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2SA1048
Elektronische Bauelemente
-0.15 A, -50 V
PNP Plastic Encapsulated Transistor
CHARACTERISTIC CURVES
http://www.SeCoSGmbH.com/
Any changes of specification will not be informed individually.
22-Aug-2013 Rev. E
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Elektronische Bauelemente
-0.15 A, -50 V
PNP Plastic Encapsulated Transistor
CHARACTERISTIC CURVES
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参数对比
与2SA1048-Y相近的元器件有：2SA1048-GR、2SA1048-GR-C、2SA1048-O、2SA1048-O-C、2SA1048-Y-C、2SA1048-C。描述及对比如下：
型号 2SA1048-Y 2SA1048-GR 2SA1048-GR-C 2SA1048-O 2SA1048-O-C 2SA1048-Y-C 2SA1048-C
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), PNP Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), PNP Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), PNP Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), PNP Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), PNP Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), PNP Small Signal Bipolar Transistor
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli compli
最大集电极电流 (IC) 0.15 A 0.15 A 0.15 A 0.15 A 0.15 A 0.15 A 0.15 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 120 200 200 70 70 120 70
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 80 MHz 80 MHz 80 MHz 80 MHz 80 MHz 80 MHz 80 MHz
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 -
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C -
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W -
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 -
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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