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2SB1165Q

TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,5A I(C),TO-126

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:ON Semiconductor(安森美)

厂商官网:http://www.onsemi.cn

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器件参数
参数名称
属性值
包装说明
,
Reach Compliance Code
compli
最大集电极电流 (IC)
5 A
配置
Single
最小直流电流增益 (hFE)
70
最高工作温度
140 °C
极性/信道类型
PNP
最大功率耗散 (Abs)
20 W
表面贴装
NO
标称过渡频率 (fT)
180 MHz
Base Number Matches
1
参数对比
与2SB1165Q相近的元器件有:2SD1722Q。描述及对比如下:
型号 2SB1165Q 2SD1722Q
描述 TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,5A I(C),TO-126 TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,5A I(C),TO-126
Reach Compliance Code compli compli
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 70 70
最高工作温度 140 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP NPN
最大功率耗散 (Abs) 20 W 20 W
表面贴装 NO NO
标称过渡频率 (fT) 180 MHz 180 MHz
Base Number Matches 1 1
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