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2SB1180H

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Panasonic(松下)

厂商官网:http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html

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器件参数
参数名称
属性值
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
8 A
集电极-发射极最大电压
60 V
配置
DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)
1000
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
PNP
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶体管元件材料
SILICON
VCEsat-Max
1.5 V
Base Number Matches
1
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