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2SB1261-Z-E2

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MP-3, 3 PIN

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：NEC(日电)

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参数
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
NEC(日电)
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数
3
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
3 A
集电极-发射极最大电压
60 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
50
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
2
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
PNP
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
TIN LEAD
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
50 MHz
最大关闭时间（toff）
2500 ns
最大开启时间（吨）
500 ns
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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