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2SC2338

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, X Band, Silicon, NPN, CASE 08, 4 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:California Eastern Labs

厂商官网:http://www.cel.com/

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器件参数
参数名称
属性值
包装说明
MICROWAVE, S-CQMW-F4
针数
4
制造商包装代码
CASE 08
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
0.06 A
基于收集器的最大容量
0.8 pF
集电极-发射极最大电压
12 V
配置
SINGLE
最高频带
X BAND
JESD-30 代码
S-CQMW-F4
元件数量
1
端子数量
4
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
SQUARE
封装形式
MICROWAVE
极性/信道类型
NPN
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
FLAT
端子位置
QUAD
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
文档预览
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参数对比
与2SC2338相近的元器件有:NE56700、NE56708、NE56787。描述及对比如下:
型号 2SC2338 NE56700 NE56708 NE56787
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, X Band, Silicon, NPN, CASE 08, 4 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, X Band, Silicon, NPN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, X Band, Silicon, NPN, CASE 08, 4 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, X Band, Silicon, NPN, CASE 87, 2 PIN
Reach Compliance Code unknown compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.06 A 0.06 A 0.06 A 0.06 A
基于收集器的最大容量 0.8 pF 0.8 pF 0.8 pF 0.8 pF
集电极-发射极最大电压 12 V 12 V 12 V 12 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最高频带 X BAND X BAND X BAND X BAND
JESD-30 代码 S-CQMW-F4 S-XUUC-N9 S-CQMW-F4 R-CDMW-F2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 4 9 4 2
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE RECTANGULAR
封装形式 MICROWAVE UNCASED CHIP MICROWAVE MICROWAVE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 FLAT NO LEAD FLAT FLAT
端子位置 QUAD UPPER QUAD DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1
包装说明 MICROWAVE, S-CQMW-F4 - MICROWAVE, S-CQMW-F4 CASE 87, 2 PIN
针数 4 - 4 2
制造商包装代码 CASE 08 - CASE 08 CASE 87
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