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2SC3391BTZ

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, SPAK-3

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Hitachi (Renesas )

厂商官网:http://www.renesas.com/eng/

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器件参数
参数名称
属性值
包装说明
IN-LINE, R-PSIP-T3
针数
3
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
0.02 A
基于收集器的最大容量
1.2 pF
集电极-发射极最大电压
20 V
配置
SINGLE
最高频带
VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码
R-PSIP-T3
元件数量
1
端子数量
3
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
极性/信道类型
NPN
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
940 MHz
Base Number Matches
1
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