2SC4367RF

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Hitachi （Renesas ）

厂商官网：http://www.renesas.com/eng/

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参数

器件参数

参数名称

属性值

包装说明

CYLINDRICAL, O-PBCY-W3

Reach Compliance Code

unknow

ECCN代码

EAR99

最大集电极电流 (IC)

0.1 A

集电极-发射极最大电压

20 V

配置

SINGLE

最小直流电流增益 (hFE)

JESD-30 代码

O-PBCY-W3

元件数量

端子数量

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

ROUND

封装形式

CYLINDRICAL

极性/信道类型

NPN

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子形式

WIRE

端子位置

BOTTOM

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管元件材料

SILICON

Base Number Matches

热门器件

简洁的过零调功器电路设计与分析单稳态控制电路设计与分析光控电路设计与分析永不缺相启动运行的电动机控制电路 IGBT模块通过控制门极阻断过电流 MT3608构成3.7V转12V的升压电路图运算放大器IC741的基本工作原理及在电路中的实现方式比较常见的功率整流器和滤波电路一个简单的红外耳机电路基于TDA1554的立体声放大器电路

器件捷径:

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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