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2SC4779S/R

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:ROHM(罗姆半导体)

厂商官网:https://www.rohm.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
包装说明
IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
0.1 A
基于收集器的最大容量
3.5 pF
集电极-发射极最大电压
25 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
180
JESD-30 代码
R-PSIP-T3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
0.3 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
180 MHz
VCEsat-Max
0.4 V
Base Number Matches
1
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器件捷径:
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