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2SC5551AF-TD-E

RF Bipolar Transistors RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：ON Semiconductor(安森美)

厂商官网：http://www.onsemi.cn

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2SC5551AF-TD-E 在线购买

供应商：

器件：2SC5551AF-TD-E

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器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
ON Semiconductor
是否无铅
不含铅
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数
3
制造商包装代码
419AU
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
7 weeks
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
0.3 A
基于收集器的最大容量
4 pF
集电极-发射极最大电压
30 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
135
最高频带
S BAND
JEDEC-95代码
TO-243
JESD-30 代码
R-PSSO-F3
JESD-609代码
e6
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
1.3 W
表面贴装
YES
端子面层
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式
FLAT
端子位置
SINGLE
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
3500 MHz
Base Number Matches
1
文档预览
Ordering number : ENA1118A
2SC5551A
RF Transistor
30V, 300mA, fT=3.5GHz, NPN Single PCP
Features
•
•
•
http://onsemi.com
High fT : (fT=3.5GHz typ)
Large current : (IC=300mA)
Large allowable collector dissipation (1.3W max)
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta=25°C
Parameter
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
When mounted on ceramic substrate (250mm
×0.8mm)
2
Conditions
Ratings
40
30
2
300
600
1.3
150
--55 to +150
Unit
V
V
V
mA
mA
W
°C
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7007B-004
Top View
4.5
1.6
1.5
Product & Package Information
• Package
: PCP
• JEITA, JEDEC
: SC-62, SOT-89, TO-243
• Minimum Packing Quantity : 1,000 pcs./reel
2SC5551AE-TD-E
2SC5551AF-TD-E
Packing Type: TD
Marking
1.0
4.0
TD
EB
RANK
1
0.4
0.5
1.5
3.0
2
3
0.4
Electrical Connection
2
0.75
1
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
Bottom View
3
PCP
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
August, 2013
80812 TKIM/D0209AB TKIM TC-00002042 No. A1118-1/6
LOT No.
2.5
2SC5551A
Electrical Characteristics
at Ta=25°C
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Symbol
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
Cob
Cre
VCE(sat)
VBE(sat)
VCB=20V, IE=0A
VEB=1V, IC=0A
VCE=5V, IC=50mA
VCE=5V, IC=300mA
VCE=5V, IC=50mA
VCB=10V, f=1MHz
IC=50mA, IB=5mA
IC=50mA, IB=5mA
90
20
3.5
2.9
1.5
0.07
0.8
0.3
1.2
4.0
GHz
pF
pF
V
V
Conditions
Ratings
min
typ
max
1.0
5.0
270
Unit
μA
μA
*
: The 2SC5551A is classified by 50mA hFE as follows :
Rank
hFE
E
90 to 180
F
135 to 270
Ordering Information
Device
2SC5551AE-TD-E
2SC5551AF-TD-E
Package
PCP
PCP
Shipping
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
memo
Pb Free
100
IC -- VCE
500
μ
A
450
μ
A
350
μA
1000
7
5
hFE -- IC
VCE=5V
Collector Current, IC -- mA
80
DC Current Gain, hFE
400
μ
A
3
2
60
300
μ
A
250
μ
A
200
μA
150μA
100
7
5
3
2
10
1.0
40
20
100
μ
A
50
μ
A
IB=0
μ
A
0
4
8
12
16
20
IT01066
0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
2
3
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector Current, IC -- mA
5 7 1000
IT01067
No. A1118-2/6
2SC5551A
7
5
VCE(sat) -- IC
IC / IB=10
Forward Transfer Gain,
⏐
S21e
⏐
2
-- dB
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
2
3
5
⏐
S21e
⏐
2
-- IC
VCE=5V
Collector-to-Emitter
Saturation Voltage, VCE(sat) -- V
3
2
Hz
M
00
=2
f
Hz
500M
f=
0.1
7
5
3
2
1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
2
3
5 7
IT15252
1.0
7 10
2
3
5 7 100
2
3
Collector Current, IC -- mA
Output Capacitance, Reverse Transfer Capacitance,
Cob, Cre -- pF
10
Cob, Cre -- VCB
Collector Current, IC -- mA
10
5 7 1000
IT01069
fT -- IC
f=1MHz
7
7
VCE=5V
Gain-Bandwidth Product, fT -- GHz
3
5
3
2
5
3
Cob
1.0
7
5
3
2
2
Cre
1.0
1.0
2
3
5
7
10
2
5
0.1
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
1000
7
5
3
2
100
IT01070
7
1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
2
3
ASO
Collector Current, IC -- mA
1.4
1.3
1.2
5 7 1000
IT01071
PC -- Ta
ICP=600mA
IC=300mA
10
When mounted on ceramic substrate
(250mm
2
✕0.8mm)
DC
m
Collector Dissipation, PC -- W
3
5
IT01072
Collector Current, IC -- mA
s
1m
s
1.0
op
era
tio
0.8
100
7
5
3
2
n
0.6
0.4
10
1.0
Ta=25°C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate (250mm
2
✕0.8mm)
2
3
5
7
10
2
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Ambient Temperature, Ta --
°C
IT01073
No. A1118-3/6
2SC5551A
Bag Packing Specification
2SC5551AE-TD-E, 2SC5551AF-TD-E
No. A1118-4/6
2SC5551A
Outline Drawing
2SC5551AE-TD-E, 2SC5551AF-TD-E
Mass (g) Unit
0.058 mm
* For reference
Land Pattern Example
Unit: mm
2.2
0.9
45°
1.0
1.5
1.0
3.0
1.5
1.8
No. A1118-5/6
3.7
45°
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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