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2SD1251H

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Panasonic(松下)

厂商官网：http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html

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参数 预览
器件参数
参数名称
属性值
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
4 A
集电极-发射极最大电压
60 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
30
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
NPN
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
晶体管元件材料
SILICON
VCEsat-Max
1 V
Base Number Matches
1
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