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2SD965

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 22V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Micro Commercial Components (MCC)

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
零件包装代码
TO-92
包装说明
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数
3
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
0.5 A
集电极-发射极最大电压
22 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
340
JEDEC-95代码
TO-92
JESD-30 代码
O-PBCY-T3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
NPN
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
TIN LEAD
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
文档预览
MCC
Features
•
•
•
•
  omponents
21201 Itasca Street Chatsworth

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2SD965
Capable of 0.75Watts of Power Dissipation.
Collector-current 0. 5A
Collector-base Volt age 42V
Operating and storage junction temperature range: -55
O
C to +150
O
C
NPN Silicon
Plastic-Encapsulate
Transistor
TO-92
Pin Configuration
Bottom View
E
C
B
A
E
Electrical Characteristics @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=1.0mAdc, I
B
=0)
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=10uAdc, I
E
=0)
Emitter-Base Breakdown Voltage
(I
E
=10uAdc, I
C
=0)
Collector Cutoff Current
(V
CB
=30Vdc, I
E
=0)
Emitter Cutoff Current
(V
EB
=6.0Vdc, I
C
=0)
DC Current Gain
I
C
=0.15mAdc, V
CE
=2.0Vdc)
DC Current Gain
(I
C
=500mAdc, V
CE
=2.0Vdc)
DC Current Gain
(I
C
=2000mAdc, V
CE
=2.0Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=3000mAdc, I
B
=100mAdc)
Min
22
42
6.0
0.1
0.1
Max
Units
Vdc
Vdc
Vdc
uAdc
uAdc
B
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
C
ON CHARACTERISTICS
h
FE(1)
h
FE(2)
h
FE(3)
V
CE(sat)
D
150
340
150
0.35
Vdc
G
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.175
.175
.500
.016
.135
.095
MM
MIN
4.45
4.46
12.7
0.41
3.43
2.42
950
CLASSIFICATION OF H
FE (1)
Rank
Range
R
340-560
T
560-950
DIM
A
B
C
D
E
G
MAX
.185
.185
---
.020
.145
.105
MAX
4.70
4.70
---
0.63
3.68
2.67
NOTE
www.mccsemi.com
Revision: 2
2003/06/30
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参数对比
与2SD965相近的元器件有：2SD965-BP。描述及对比如下：
型号 2SD965 2SD965-BP
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 22V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 22V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3
是否Rohs认证 不符合 符合
零件包装代码 TO-92 TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 22 V 22 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 340 340
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
JESD-609代码 e0 e3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 TIN LEAD MATTE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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