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2SJ266DR

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：SANYO

厂商官网：http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html

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参数 预览
器件参数
参数名称
属性值
Objectid
1454194472
包装说明
IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
其他特性
HIGH RELIABILITY
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
60 V
最大漏极电流 (ID)
8 A
最大漏源导通电阻
0.2 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PSIP-T3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
极性/信道类型
P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
32 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶体管元件材料
SILICON
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