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2SK2163-RB

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:SANYO

厂商官网:http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html

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器件参数
参数名称
属性值
Objectid
1412362539
零件包装代码
SFM
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数
3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
60 V
最大漏极电流 (ID)
40 A
最大漏源导通电阻
0.02 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-220AB
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
DEPLETION MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
N-CHANNEL
功耗环境最大值
40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
160 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶体管元件材料
SILICON
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