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2SK2373ZE-UR

Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 30V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Hitachi （Renesas ）

厂商官网：http://www.renesas.com/eng/

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参数 预览
器件参数
参数名称
属性值
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
30 V
最大漏极电流 (ID)
0.2 A
最大漏源导通电阻
2.5 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
N-CHANNEL
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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