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3SK239AXR-TR

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, CMPAK-4

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Hitachi (Renesas )

厂商官网:http://www.renesas.com/eng/

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器件参数
参数名称
属性值
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数
4
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
其他特性
LOW NOISE
外壳连接
SOURCE
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
12 V
最大漏极电流 (ID)
0.05 A
FET 技术
METAL SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
0.05 pF
最高频带
ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码
R-PDSO-G4
元件数量
1
端子数量
4
工作模式
DUAL GATE, DEPLETION MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)
17 dB
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches
1
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参数对比
与3SK239AXR-TR相近的元器件有:3SK239AXR-TL、3SK239AXR-UL、3SK239AXR-UR。描述及对比如下:
型号 3SK239AXR-TR 3SK239AXR-TL 3SK239AXR-UL 3SK239AXR-UR
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, CMPAK-4 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, CMPAK-4 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, CMPAK-4 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, CMPAK-4
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数 4 4 4 4
Reach Compliance Code unknown unknow unknow unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 12 V 12 V 12 V 12 V
最大漏极电流 (ID) 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A
FET 技术 METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 0.05 pF 0.05 pF 0.05 pF 0.05 pF
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
元件数量 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4
工作模式 DUAL GATE, DEPLETION MODE DUAL GATE, DEPLETION MODE DUAL GATE, DEPLETION MODE DUAL GATE, DEPLETION MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp) 17 dB 17 dB 17 dB 17 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches 1 1 1 1
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