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5962-9318711H5A

SRAM Module, 128KX32, 15ns, CMOS, CHIP66, HEX-IN-LINE, SINGLE CAVITY, WITH STANDOFFS-66

器件类别：存储    存储   

厂商名称：Microsemi

厂商官网：https://www.microsemi.com

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参数
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Microsemi
包装说明
HEX-IN-LINE, SINGLE CAVITY, WITH STANDOFFS-66
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
15 ns
其他特性
USER CONFIGURABLE AS 512K X 8
备用内存宽度
16
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
S-CHIP-P66
JESD-609代码
e0
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
SRAM MODULE
内存宽度
32
功能数量
1
端子数量
66
字数
131072 words
字数代码
128000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
128KX32
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
PGA
封装等效代码
PGA66,11X11
封装形状
SQUARE
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
筛选级别
38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流
0.0116 A
最小待机电流
2 V
最大压摆率
0.6 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
TIN LEAD
端子形式
PIN/PEG
端子节距
2.54 mm
端子位置
HEX
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