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6MBI50FA-060

Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Fuji Electric Co Ltd

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Fuji Electric Co Ltd
包装说明
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11
Reach Compliance Code
unknown
其他特性
LOW SATURATION VOLTAGE
最大集电极电流 (IC)
50 A
集电极-发射极最大电压
600 V
JESD-30 代码
R-XUFM-X11
元件数量
6
端子数量
11
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
N-CHANNEL
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
UNSPECIFIED
端子位置
UPPER
晶体管元件材料
SILICON
标称断开时间 (toff)
1500 ns
标称接通时间 (ton)
1500 ns
Base Number Matches
1
文档预览
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
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