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71P72804200BQ

Standard SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Objectid
109029515
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
3A991.B.2.A
最长访问时间
0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)
200 MHz
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PBGA-B165
内存密度
18874368 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
18
端子数量
165
字数
1048576 words
字数代码
1000000
工作模式
SYNCHRONOUS
组织
1MX18
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
BGA
封装等效代码
BGA165,11X15,40
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY
并行/串行
PARALLEL
电源
1.5/1.8,1.8 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.335 A
最小待机电流
1.7 V
最大压摆率
0.75 mA
表面贴装
YES
技术
CMOS
端子形式
BALL
端子节距
1 mm
端子位置
BOTTOM
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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