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7MBR50SB060

Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35

器件类别:晶体管   

厂商名称:Fuji Electric Co Ltd

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Fuji Electric Co Ltd
零件包装代码
MODULE
包装说明
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X24
针数
35
Reach Compliance Code
unknown
外壳连接
ISOLATED
最大集电极电流 (IC)
50 A
集电极-发射极最大电压
600 V
配置
COMPLEX
门极-发射极最大电压
20 V
JESD-30 代码
R-XUFM-X24
元件数量
7
端子数量
24
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
N-CHANNEL
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
UNSPECIFIED
端子位置
UPPER
晶体管应用
POWER CONTROL
晶体管元件材料
SILICON
标称断开时间 (toff)
450 ns
标称接通时间 (ton)
700 ns
VCEsat-Max
2.45 V
Base Number Matches
1
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