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ACT-F512K32N-090F1Q

Flash Module, 512KX32, 90ns, CQFP68, 1.560 X 1.560 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LQFP-68

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Cobham Semiconductor Solutions

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Cobham Semiconductor Solutions
零件包装代码
QFP
包装说明
1.560 X 1.560 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LQFP-68
针数
68
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
3A001.A.2.C
最长访问时间
90 ns
其他特性
USER CONFIGURABLE AS 2M X 8
备用内存宽度
16
JESD-30 代码
S-CQFP-F68
长度
39.624 mm
内存密度
16777216 bit
内存集成电路类型
FLASH MODULE
内存宽度
32
功能数量
1
端子数量
68
字数
524288 words
字数代码
512000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
512KX32
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
QFF
封装形状
SQUARE
封装形式
FLATPACK
并行/串行
PARALLEL
编程电压
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
3.556 mm
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子形式
FLAT
端子节距
1.27 mm
端子位置
QUAD
类型
NOR TYPE
宽度
39.624 mm
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参数对比
与ACT-F512K32N-090F1Q相近的元器件有:ACT-F512K32N-150F1Q、ACT-F512K32N-070F1Q、ACT-F512K32N-120F1Q。描述及对比如下:
型号 ACT-F512K32N-090F1Q ACT-F512K32N-150F1Q ACT-F512K32N-070F1Q ACT-F512K32N-120F1Q
描述 Flash Module, 512KX32, 90ns, CQFP68, 1.560 X 1.560 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LQFP-68 Flash Module, 512KX32, 150ns, CQFP68, 1.560 X 1.560 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LQFP-68 Flash Module, 512KX32, 70ns, CQFP68, 1.560 X 1.560 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LQFP-68 Flash Module, 512KX32, 120ns, CQFP68, 1.560 X 1.560 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LQFP-68
厂商名称 Cobham Semiconductor Solutions Cobham Semiconductor Solutions Cobham Semiconductor Solutions Cobham Semiconductor Solutions
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP
包装说明 1.560 X 1.560 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LQFP-68 1.560 X 1.560 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LQFP-68 1.560 X 1.560 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LQFP-68 1.560 X 1.560 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LQFP-68
针数 68 68 68 68
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 90 ns 150 ns 70 ns 120 ns
其他特性 USER CONFIGURABLE AS 2M X 8 USER CONFIGURABLE AS 2M X 8 USER CONFIGURABLE AS 2M X 8 USER CONFIGURABLE AS 2M X 8
备用内存宽度 16 16 16 16
JESD-30 代码 S-CQFP-F68 S-CQFP-F68 S-CQFP-F68 S-CQFP-F68
长度 39.624 mm 39.624 mm 39.624 mm 39.624 mm
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 FLASH MODULE FLASH MODULE FLASH MODULE FLASH MODULE
内存宽度 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1
端子数量 68 68 68 68
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 512KX32 512KX32 512KX32 512KX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 QFF QFF QFF QFF
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
编程电压 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD
类型 NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
宽度 39.624 mm 39.624 mm 39.624 mm 39.624 mm
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