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AP9468GJ

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：APEC

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参数

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

APEC

零件包装代码

TO-251

包装说明

IN-LINE, R-PSIP-T3

针数

3

Reach Compliance Code

compli

ECCN代码

EAR99

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

最小漏源击穿电压

40 V

最大漏极电流 (ID)

75 A

最大漏源导通电阻

0.007 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JEDEC-95代码

TO-251

JESD-30 代码

R-PSIP-T3

元件数量

1

端子数量

3

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

150 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

IN-LINE

极性/信道类型

N-CHANNEL

最大脉冲漏极电流 (IDM)

300 A

认证状态

Not Qualified

表面贴装

NO

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

SINGLE

晶体管应用

SWITCHING

晶体管元件材料

SILICON

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