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APT1001R3AN

8.5A, 1000V, 1.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Microsemi

厂商官网:https://www.microsemi.com

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器件:APT1001R3AN

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Microsemi
包装说明
FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code
unknown
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8.5 A
最大漏极电流 (ID)
8.5 A
最大漏源导通电阻
1.3 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-3
JESD-30 代码
O-MBFM-P2
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
功耗环境最大值
230 W
最大功率耗散 (Abs)
230 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
PIN/PEG
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
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