型号

型号
关键词

APT1004R2BN-BUTT

Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：ADPOW

厂商官网：http://www.advancedpower.com/

下载文档

参数

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

ADPOW

包装说明

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Reach Compliance Code

unknown

外壳连接

DRAIN

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

最小漏源击穿电压

1000 V

最大漏极电流 (ID)

4 A

最大漏源导通电阻

4.2 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大反馈电容 (Crss)

60 pF

JEDEC-95代码

TO-247

JESD-30 代码

R-PSFM-T3

元件数量

端子数量

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

150 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

FLANGE MOUNT

极性/信道类型

N-CHANNEL

功耗环境最大值

180 W

最大脉冲漏极电流 (IDM)

16 A

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

SINGLE

晶体管元件材料

SILICON

最大关闭时间（toff）

77 ns

最大开启时间（吨）

43 ns

热门器件

简洁的过零调功器电路设计与分析单稳态控制电路设计与分析光控电路设计与分析永不缺相启动运行的电动机控制电路 IGBT模块通过控制门极阻断过电流 MT3608构成3.7V转12V的升压电路图运算放大器IC741的基本工作原理及在电路中的实现方式比较常见的功率整流器和滤波电路一个简单的红外耳机电路基于TDA1554的立体声放大器电路

器件捷径:

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

需要登录后才可以下载。

登录取消