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APT20M45BNFR-BUTT

Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:ADPOW

厂商官网:http://www.advancedpower.com/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
ADPOW
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
雪崩能效等级(Eas)
1300 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
200 V
最大漏极电流 (ID)
58 A
最大漏源导通电阻
0.045 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
450 pF
JEDEC-95代码
TO-247
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
N-CHANNEL
功耗环境最大值
360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
232 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶体管元件材料
SILICON
最大关闭时间(toff)
230 ns
最大开启时间(吨)
120 ns
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参数对比
与APT20M45BNFR-BUTT相近的元器件有:APT20M60BNFR-GULLWING、APT20M45BNFR-GULLWING。描述及对比如下:
型号 APT20M45BNFR-BUTT APT20M60BNFR-GULLWING APT20M45BNFR-GULLWING
描述 Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN
厂商名称 ADPOW ADPOW ADPOW
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 1300 mJ 1300 mJ 1300 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 58 A 50 A 58 A
最大漏源导通电阻 0.045 Ω 0.06 Ω 0.045 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 450 pF 450 pF 450 pF
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-G3 R-PSFM-G3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 360 W 360 W 360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 232 A 200 A 232 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES YES
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 230 ns 230 ns 230 ns
最大开启时间(吨) 120 ns 120 ns 120 ns
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