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APT3010BNR-BUTT

35A, 300V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Microsemi

厂商官网:https://www.microsemi.com

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Microsemi
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
雪崩能效等级(Eas)
1300 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
300 V
最大漏极电流 (ID)
35 A
最大漏源导通电阻
0.1 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
300 pF
JEDEC-95代码
TO-247
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
N-CHANNEL
功耗环境最大值
360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
140 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶体管元件材料
SILICON
最大关闭时间(toff)
230 ns
最大开启时间(吨)
120 ns
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参数对比
与APT3010BNR-BUTT相近的元器件有:APT3010BNR-GULLWING、APT30M85BNR-GULLWING、APT30M85BNR-BUTT。描述及对比如下:
型号 APT3010BNR-BUTT APT3010BNR-GULLWING APT30M85BNR-GULLWING APT30M85BNR-BUTT
描述 35A, 300V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 35A, 300V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN 40A, 300V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN 40A, 300V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 1300 mJ 1300 mJ 1300 mJ 1300 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 300 V 300 V 300 V 300 V
最大漏极电流 (ID) 35 A 35 A 40 A 40 A
最大漏源导通电阻 0.1 Ω 0.1 Ω 0.085 Ω 0.085 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 300 pF 300 pF 300 pF 300 pF
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-G3 R-PSFM-G3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 360 W 360 W 360 W 360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 140 A 140 A 160 A 160 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES YES NO
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 230 ns 230 ns 230 ns 230 ns
最大开启时间(吨) 120 ns 120 ns 120 ns 120 ns
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