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APT35GP120B2D2

Insulated Gate Bipolar Transistor, 46A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TMAX-3

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：ADPOW

厂商官网：http://www.advancedpower.com/

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参数

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

ADPOW

包装说明

IN-LINE, R-PSIP-T3

Reach Compliance Code

unknow

ECCN代码

EAR99

其他特性

LOW CONDUCTION LOSS

外壳连接

COLLECTOR

最大集电极电流 (IC)

46 A

集电极-发射极最大电压

1200 V

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

门极发射器阈值电压最大值

6 V

门极-发射极最大电压

20 V

JESD-30 代码

R-PSIP-T3

JESD-609代码

元件数量

端子数量

最高工作温度

150 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

IN-LINE

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

极性/信道类型

N-CHANNEL

最大功率耗散 (Abs)

540 W

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

SINGLE

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

晶体管应用

POWER CONTROL

晶体管元件材料

SILICON

标称断开时间 (toff)

283 ns

标称接通时间 (ton)

39 ns

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器件捷径:

E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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