AS7C331MNTF18A-85BI,AS7C331MNTF18A-85BI pdf中文资料,AS7C331MNTF18A-85BI引脚图,AS7C331MNTF18A-85BI电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与AS7C331MNTF18A-85BI相近的元器件有：AS7C331MNTF18A-85BIN、AS7C331MNTF18A-10BC、AS7C331MNTF18A-10BCN、AS7C331MNTF18A-10BI、AS7C331MNTF18A-10BIN、AS7C331MNTF18A-85BC、AS7C331MNTF18A-85BCN。描述及对比如下：

型号	AS7C331MNTF18A-85BI	AS7C331MNTF18A-85BIN	AS7C331MNTF18A-10BC	AS7C331MNTF18A-10BCN	AS7C331MNTF18A-10BI	AS7C331MNTF18A-10BIN	AS7C331MNTF18A-85BC	AS7C331MNTF18A-85BCN
描述	ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165	ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165	ZBT SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA165, BGA-165	ZBT SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165	ZBT SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA165, BGA-165	ZBT SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165	ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165	ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合	符合	不符合	符合	不符合	符合
厂商名称	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40
针数	165	165	165	165	165	165	165	165
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	8.5 ns	8.5 ns	10 ns	10 ns	10 ns	10 ns	8.5 ns	8.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	100 MHz	83 MHz	83 MHz	83 MHz	83 MHz	100 MHz	100 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0	e3/e6	e0	e3/e6	e0	e3/e6	e0	e3/e6
长度	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bi
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	18	18	18	18	18	18	18	18
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	165	165	165	165	165	165	165	165
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	260
电源	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.25 mA	0.25 mA	0.23 mA	0.23 mA	0.23 mA	0.23 mA	0.25 mA	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	Tin/Lead (Sn/Pb)	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	Tin/Lead (Sn/Pb)	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	Tin/Lead (Sn/Pb)	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	40	NOT SPECIFIED	40	NOT SPECIFIED	40	NOT SPECIFIED	40
宽度	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm

如果一路信号引出一个分支，并添加一个测试点，那么该分支上有电流吗？: 有人说电流会流过去，又流回来。我认为既然该支路上没有负载，不构成一个通路，也就没有电流存在了。. n...; sw3926 模拟电子

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基于无线传感器网络的煤矿顶板压力监测系统

近年来我国煤矿安全事故时有发生，安全形势十分严峻。在采矿生产过程中最常发生的就是冒顶事故。冒顶是由于煤矿岩石的稳定性差，当强大的地压传递在顶板或两侧时，使岩石遭受破坏而引发。为了预防冒顶事故的发生，应该掌握矿井顶板压力规律。通过实时监测顶板压力的变化，可以研究矿井顶板压力的规律，从而采取预防措施，有效地防止事故的发生。由于煤矿综采工作面的环境比较复杂，巷道内有瓦斯、甲烷、煤尘等可燃性气...[详细]
同方拟14亿收购壹人壹本：平板美味难消化

壹人壹本　　新浪科技讯 1月10日上午消息，同方股份(SH.600100)今日发布公告，宣布以股份+现金的方式收购壹人壹本100%股权，对壹人壹本的估值约为13.68亿元，这是2013年以来硬件领域的首起收购案。　　根据公告，截至2012年12月31日，壹人壹本资产账面净额为2.4亿元，预估值约为13.68亿元，预估增值率为465.12%。根据协商，最终交易价格在评估机构以2012...[详细]
单片机十字旋转LED程序

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美司法部或对谷歌发起反垄断诉讼谷歌盘后跌2%

北京时间5月16日消息，据报道，美国司法部和州检察官们可能会对谷歌(1373.19, 17.06, 1.26%)发起反垄断诉讼，盘后谷歌股价闻讯下跌逾2%。　　报道称，美国司法部很可能会在今年夏天尽快采取行动，以德州为首的部分州检察长可能在秋季对谷歌提起诉讼。　　各州的诉讼理由可能是谷歌的在线广告业务，而美国司法部可能会更广泛地调查谷歌是否凭借其在线搜索的统治地位而损害了市场竞争。 ...[详细]
PIC单片机之I2C通信（主模式）

我们今天来讲I2C通信。那I2C通信的特点是什么能。我们一般使用的串口（半双工异步串行通信）与I2C 有什么区别呢。串口（半双工异步串行通信）：就是好像朋友在对话。我可以主动和你讲话，你也可以主动和我讲话。 I2C：就好像上下级对话。一个领导面对一个或者多个员工。只有领导主动说话的份儿，下面的员工不能主动说话。只有领导问了，员工才能答。 I2C通信 I2C...[详细]
累计超千亿美元，梳理中国十大半导体厂商投资项目

　　自2014年《国家集成电路产业发展推进纲要》发布并同期成立国家集成电路产业领导小组和国家集成电路产业投资基金以来，中国各地政府围绕集成电路产业发展进行战略部署，提升中国半导体产业在设计、制造和封测等技术上的长足进步，吸引了各路资本的迅猛支持，加大了自主创新的技术导入，推动了集成电路大时代的到来。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。　　笔者通过梳理《国家集成电路产业发展...[详细]
原材料价格回落小米电视率先降价

　　近日，小米电视在微博上宣布，由于供应链上游原材料价格下降，将下调部分机型售价，降幅最高达1000元。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。　　《每日经济新闻》记者了解到，小米电视成为第一个开启大规模降价行动的电视厂商，打响电视促销第一枪。　　事实上，每逢“十一”黄金周临近，各大电视厂商均会进行一定程度的促销。不过，由于电视面板价格此前上涨过快，今年上半年各大电视厂商业绩普...[详细]
MathWorks 在 MATLAB 和 Simulink 中推出新功能

2014b 版本包含全新的 MATLAB 图形和大数据功能，并且能够在 Simulink 中更快速地运行连续仿真。中国北京 – 2014 年10月9日 – MathWorks今日宣布推出2014b版本。该新版本在MATLAB中新增了一系列功能，包括图形和大数据，以及在Simulink中新增加速建模和运行连续仿真的选项。 MATLAB 产品系列新增的 MATLAB 功能提供...[详细]
嵌入式Flash Memory Cell技术

　　1 概述　　随着数码时代的来临，除了PC外，越来越多的数码信息产品正在或即将进入我们的家庭：移动电话、掌上电脑、数码相机、GPS等等，这些产品越来越多的使用各种移动微存储器。这些存储器中很大部分是快闪存储器(Flash Memory)。　　Flash memory是从EPROM和EEPROM发展而来的非挥发性存储集成电路，其主要特点是工作速度快、单元面积小、集成度高、可靠性好...[详细]
HTC Arrive——首款CDMA WP7手机即将“到达”

日前，HTC和美国运营商Sprint宣布，全球首款采用CDMA制式的Windows Phone 7手机HTC Arrive将于3月20日在Sprint正式开售。其签约售价为199.99美元，合约期为2年。官方资料显示，HTC Arrive采用时下非常流行的侧滑QWERTY全键盘搭配触摸屏幕设计，拥有3.6英寸WVGA分辨率电容式触摸屏幕，此外这款手机还配备有一枚支持720p高清视频拍...[详细]
大数据“杀熟”新玩法还是苹果的套路深

　杀熟一词想必很多小伙伴都经历过，但大数据“杀熟”可能很多人都没有听说过。作为一种全新的套路，全新的玩法如今已经不知不觉得渗透到我们的日常生活当中。或许大家从来没有注意过，你打车、订酒店、买会员这些在平常不过的行为，但却不经意间被一些我们最常用最信赖的商家给“杀熟”了。那么今天就带着揭秘的态度来为大家领略一下如今他们都是如何进行“杀熟”的。杀熟？还是杀手？　　杀熟杀熟杀的就是熟　　杀熟：...[详细]
能源互联网的兴起将显著拉动储能需求

中国储能网讯：首批“互联网+”智慧能源（能源互联网）示范项目公布能源互联网进入“实操”阶段国家能源局近日发布了《国家能源局关于公布首批“互联网+”智慧能源（能源互联网）示范项目的通知》，公布了首批“互联网+”智慧能源（能源互联网）示范项目。示范项目的公示标志着能源互联网进入“实操”阶段，能源互联网产业方兴未艾，未来将快速发展。首批能源互联网示范项目为56个能源...[详细]
基于NIOSⅡ的液晶显示器控制研究

　　随着科学技术的发展和人民生活水平的提高。液晶显示器 (LCD)以其具有功耗低、体积小、重最轻、超薄等许多其他显示器无法比拟的优点，近几年来被广泛用于智能仪器、仪表和低功耗电子产品中。本文介绍一种基于NIOSⅡ的LCD的控制方法。利用SoPC技术，在NIOSⅡ系统中添加相应的I／O 端口实现对液晶显示器的控制。 1 NIOSⅡ嵌入式软核处理器　　NIOSⅡ是Altera公司在N...[详细]
【单片机】【学习日志】51单片机学习日志[Day1、2022.1.09]

第一部分一、单片机介绍： 1、基础知识单片机，英文Micro Controller Unit，简称MCU; 内部集成了CPU、RAM、ROM、定时器、中断系统、通讯接口等一系列电脑的常用硬件功能单片机的任务：信息采集（依靠传感器）、处理（依靠CPU）和硬件设备（例如电机，LED等）的控制单片机跟计算机相比，单片机算是一个袖珍版计算机，一个芯片就能构成完整的计算机系统。 ...[详细]
TCL与三星结盟前后韩国面板双雄中国开战

　　一方是积极在中国寻找战略合作伙伴的全球液晶面板巨头，一方则是国内最大的彩电企业，在中国高世代液晶面板前景不明的这个时刻，双方选择走到了一起。　　4月21日下午，三星电子LCD事业部在北京主办的“FHD全高清3D合作伙伴论坛”现场，TCL集团董事长李东生毫不掩饰自己的兴奋，向本报记者和盘托出了TCL集团(000100.SZ)当天紧急停牌的背后原因，那就是TCL与三星当天签署了一系列关于高...[详细]