AS7C331MNTF18A-10BCN,AS7C331MNTF18A-10BCN pdf中文资料,AS7C331MNTF18A-10BCN引脚图,AS7C331MNTF18A-10BCN电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与AS7C331MNTF18A-10BCN相近的元器件有：AS7C331MNTF18A-85BIN、AS7C331MNTF18A-10BC、AS7C331MNTF18A-10BI、AS7C331MNTF18A-10BIN、AS7C331MNTF18A-85BI、AS7C331MNTF18A-85BC、AS7C331MNTF18A-85BCN。描述及对比如下：

型号	AS7C331MNTF18A-10BCN	AS7C331MNTF18A-85BIN	AS7C331MNTF18A-10BC	AS7C331MNTF18A-10BI	AS7C331MNTF18A-10BIN	AS7C331MNTF18A-85BI	AS7C331MNTF18A-85BC	AS7C331MNTF18A-85BCN
描述	ZBT SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165	ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165	ZBT SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA165, BGA-165	ZBT SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA165, BGA-165	ZBT SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165	ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165	ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165	ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	不符合	符合	不符合	不符合	符合
厂商名称	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40
针数	165	165	165	165	165	165	165	165
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	10 ns	8.5 ns	10 ns	10 ns	10 ns	8.5 ns	8.5 ns	8.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)	83 MHz	100 MHz	83 MHz	83 MHz	83 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e3/e6	e3/e6	e0	e0	e3/e6	e0	e0	e3/e6
长度	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bi
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	18	18	18	18	18	18	18	18
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	165	165	165	165	165	165	165	165
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260
电源	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.23 mA	0.25 mA	0.23 mA	0.23 mA	0.23 mA	0.25 mA	0.25 mA	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	40	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	40
宽度	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm

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基于CDMA 1X的远程监控系统设计

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聊一聊比亚迪的刀片电池

按照现有补贴的情况下，现在大量使用 LFP 是存在几个问题： 1）LFP 目前最高的电芯能量密度大概在 1C 175Wh/kg 左右，现有的 Pack 能做到 140Wh/kg，按照现在三元的 175-180Wh/kg 来看，80kWh 的电池在这两个数据来看，两个分别为 571kg 和 457kg，这差了 114kg，算下来我觉得对整体的能耗效率影响比较大 2）电池的能量密度...[详细]
数字化新颖光源的实现

摘要：用GaAs/Si高亮聚光LED的Digital Light实现魔幻彩灯，简述了CIE计色制、Digital Light工作原理，论述了软件PWM实现方法，给出了系统框图，说明了系统特点和与传统光源比较的系统优越性。关键词： GaAs/Si LED Digital Light PWM编程引言 Digital Light是国外近年...[详细]
互联网车企和传统车企，谁能造出真正的智能汽车才叫牛掰

“你好，主人……”走近上汽与阿里巴巴合作的首款互联网汽车荣威RX5，只需在智能手表或手机上划一下，车门就能打开，可设定的个性化语音设备马上跟你打招呼，同时智能手机上的导航、音乐、预订的电影或餐馆等信息也将被汽车自动接管。 4月17日，完成2000公里高速公路测试的长安睿程无人驾驶车更加炫酷——自动驾驶、识别交通标记，还可自动换道超车…… 4月25日，还有一大批智能汽车登台亮相北...[详细]
AMD Radeon GPU将让三星处理器显示运算性能更胜一筹

据台媒联合新闻网报道，相关消息指出，三星最快会在2022年将AMD Radeon GPU设计整合在旗下Exynos处理器上，以借此强化其处理器显示运算性能。 AMD在去年6月份宣布与三星建立合作，预计将把Radeon图像芯片技术导入智能手机应用，而三星在后续也说明此项合作至少长达两年。报道指出，高通处理器所搭载的Adreno GPU通常在手机显示运算性能有明显突出表现，而长时间搭...[详细]
锂电池将迅速在交通产业大显身手吗？

　　消费性产品的发展趋势迅速牵动电池产业，根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门 EnergyTrend 表示，锂电池随着量产数量增加，价格与性能也逐渐为消费者所接受，包括手机电池与 NB 电池，也以锂电池为使用主流，而伴随着新材料的革新，动力锂电池也成功在电动工具以及两轮车辆上崭露头角，让锂电池突破仅有消费性产品的应用局限。　　EnergyTrend 表示，在消费性产品领域的二次...[详细]
万用表6伏叠成电池怎样代用电路

　　万用表6伏叠成电池怎样代用电路？　　1、第一方法，万用表叠层6V不好买，你可以买个9V叠层代替，没事能用电池主要是机内运放供电的但你要改动一下电池仓才能放下　　2、第二个方法，如果是串联就3节锂电或4个cr123，单用就2节铁锂或2节cr123替换一个　　可以用升压电路升压，1节1.5v电池升压到6v就可以了，看下面电路图，改改参数就可以改到6v.当然有卖现成的模块。 ...[详细]
浅谈可穿戴设备PPG方案结构及工艺设计

随着可穿戴设备逐渐从运动助手、娱乐工具的产品定位升级到健康伴侣，具备PPG（光电容积脉搏波描记法）测量心率（HR)、血氧饱和度（SpO2）及其他生物计量指标，也成为“刚需”功能。因此，可穿戴设备面临的挑战：如何在终端应用整体方案的基础上，设计出一款高精度、高可靠，甚至满足临床级的PPG测量方案此文将提供多种可穿戴设备的PPG测量方案设计，满足终端客户的设计需求。 PPG的心率、血...[详细]
新一代移动通信的核心技术OFDM调制技术

l OFDM的发展状况 OFDM的历史要追溯到20世纪60年代中期，当时R．w．Chang发表了关于带限信号多信道传输合成的论文。他描述了发送信息可同时经过一个线性带限信道而不受信道问干扰(ICI)和符号间干扰(。ISI)的原理。此后不久，Saltzberg完成了性能分析。他提出"设计一个有效并行系统的策略应该是集中在减少相邻信道的交叉干扰(crosstalk)而不是完成单个信道，因为前者的影...[详细]
技术干货 | 仙工智能识别专栏之行人跟随

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改善监控使用过程中逆光的方法

我们在安装红外摄像机的时候，往往都会遇到逆光的现象，那么此时我们都会采取什么方法和措施来改善这一的情况呢?比如我们在网点出入口安装红外摄像机是时候，遇到最大的问题是由于摄像机安装位置不当，监视画面上会出现逆光现象，对此，笔者认为，可以采用三种办法加以改善：一是在安装位置上尽量避免阳光直射;二是选用具有相应改善功能的摄像机;三是通过提高室内光源照度，减小与室外光线的反差。　　(1) 通过调...[详细]
Profibus-DP现场息线通信主站设计

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专家解读车载以太网及AVB技术以太网迎新增长

讨论车载以太网之前我们先来看看以太网的发展过程及现状，1963年“The Intergalactic Computer Network”的概念被认为是现代Internet的起源;1969年“The Advanced Research Projects Agency Network (ARPANET) ”是第一个执行TCP/IP的网络，也是“global Internet”的起源;经过50多年的发...[详细]
西部数据想独家谈判东芝半导体标案传喊卡

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FreeRTOS移植+点亮OLED任务线程

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