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AT25HP512CI-10CI-2.7

EEPROM, 64KX8, Serial, CMOS, 8 X 5 MM, 1.04 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, LAP-8

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Atmel (Microchip)

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
零件包装代码
SOIC
包装说明
SON, SOLCC8,.3
针数
8
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
最大时钟频率 (fCLK)
5 MHz
数据保留时间-最小值
40
耐久性
100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码
R-XDSO-N8
JESD-609代码
e0
长度
8 mm
内存密度
524288 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
8
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端子数量
8
字数
65536 words
字数代码
64000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
64KX8
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
SON
封装等效代码
SOLCC8,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
并行/串行
SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)
240
电源
3/5 V
认证状态
Not Qualified
串行总线类型
SPI
最大待机电流
0.000002 A
最大压摆率
0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
2.7 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
NO LEAD
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
5 mm
最长写入周期时间 (tWC)
10 ms
写保护
HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches
1
参数对比
与AT25HP512CI-10CI-2.7相近的元器件有:AT25HP512CI-10CI-1.8。描述及对比如下:
型号 AT25HP512CI-10CI-2.7 AT25HP512CI-10CI-1.8
描述 EEPROM, 64KX8, Serial, CMOS, 8 X 5 MM, 1.04 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, LAP-8 EEPROM, 64KX8, Serial, CMOS, 8 X 5 MM, 1.04 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, LAP-8
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
零件包装代码 SOIC SOIC
包装说明 SON, SOLCC8,.3 SON, SOLCC8,.3
针数 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 5 MHz 2 MHz
数据保留时间-最小值 40 40
耐久性 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-XDSO-N8 R-XDSO-N8
JESD-609代码 e0 e0
长度 8 mm 8 mm
内存密度 524288 bit 524288 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8
湿度敏感等级 3 3
功能数量 1 1
端子数量 8 8
字数 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 64KX8 64KX8
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 SON SON
封装等效代码 SOLCC8,.3 SOLCC8,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 240 240
电源 3/5 V 2/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
串行总线类型 SPI SPI
最大待机电流 0.000002 A 0.000002 A
最大压摆率 0.01 mA 0.01 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 1.8 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 2.7 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
宽度 5 mm 5 mm
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms 10 ms
写保护 HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE
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