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ATF-13336-TR2

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Hewlett Packard Co

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Hewlett Packard Co
包装说明
DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
其他特性
LOW NOISE
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
5 V
最大漏极电流 (ID)
0.09 A
FET 技术
METAL SEMICONDUCTOR
最高频带
KU BAND
JESD-30 代码
O-CRDB-F4
元件数量
1
端子数量
4
工作模式
DEPLETION MODE
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
ROUND
封装形式
DISK BUTTON
极性/信道类型
N-CHANNEL
功耗环境最大值
0.225 W
最小功率增益 (Gp)
8 dB
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
FLAT
端子位置
RADIAL
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches
1
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