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BC548B

100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Fairchild

厂商官网：http://www.fairchildsemi.com/

器件标准：

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BC548B 在线购买

供应商：

器件：BC548B

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器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
Fairchild Semiconduc
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Fairchild
零件包装代码
TO-92
包装说明
LEAD FREE, TO-92, 3 PIN
针数
3
制造商包装代码
3LD, TO-92, MOLDED, STD STRAIGHT LD (NO EOL CODE)
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
Samacsys Confidence
Samacsys Status
Released
Samacsys PartID
251866
Samacsys Pin Cou
3
Samacsys Part Category
Undefined or Miscellaneous
Samacsys Package Category
Othe
Samacsys Footprint Name
TO127P254X732-3
Samacsys Released Date
2017-01-11 16:35:06
Is Samacsys
N
其他特性
LOW NOISE
外壳连接
ISOLATED
最大集电极电流 (IC)
0.1 A
集电极-发射极最大电压
30 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
200
JEDEC-95代码
TO-92
JESD-30 代码
O-PBCY-T3
JESD-609代码
e1
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）
NOT APPLICABLE
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
0.625 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT APPLICABLE
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
300 MHz
Base Number Matches
1
文档预览
BC548 / BC548A / BC548B / BC548C
Discrete POWER & Signal
Technologies
BC548
BC548A
BC548B
BC548C
E
B
TO-92
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from
Process 10. See PN100A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
CEO
V
CES
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
TA = 25°C unless otherwise noted
Parameter
Value
30
30
5.0
500
-55 to +150
Units
V
V
V
mA
°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25°C unless otherwise noted
Characteristic
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Max
BC548 / A / B / C
625
5.0
83.3
200
Units
mW
mW/°C
°C/W
°C/W
©
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
548-ABC, Rev B
BC548 / BC548A / BC548B / BC548C
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
TA = 25°C unless otherwise noted
Test Conditions
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)CES
V
(BR)EBO
I
CBO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Base Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
I
C
= 10
µA,
I
E
= 0
I
C
= 10
µA,
I
E
= 0
I
E
= 10
µA,
I
C
= 0
V
CB
= 30 V, I
E
= 0
V
CB
= 30 V, I
E
= 0, T
A
= +150
°C
30
30
30
5.0
15
5.0
V
V
V
V
nA
µA
ON CHARACTERISTICS
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= 5.0 V, I
C
= 2.0 mA
548
548A
548B
548C
110
110
200
420
800
220
450
800
0.25
0.60
0.70
0.77
V
CE(
sat
)
V
BE(
on
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
I
C
= 10 mA, I
B
= 0.5 mA
I
C
= 100 mA, I
B
= 5.0 mA
V
CE
= 5.0 V, I
C
= 2.0 mA
V
CE
= 5.0 V, I
C
= 10 mA
0.58
V
V
V
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
h
fe
NF
Small-Signal Current Gain
Noise Figure
I
C
= 2.0 mA, V
CE
= 5.0 V,
f = 1.0 kHz
V
CE
= 5.0 V, I
C
= 200
µA,
R
S
= 2.0 kΩ, f = 1.0 kHz,
B
W
= 200 Hz
125
900
10
dB
查看更多>
参数对比
与BC548B相近的元器件有：BC548、BC548C。描述及对比如下：
型号 BC548B BC548 BC548C
描述 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 NPN SILICON RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
Brand Name Fairchild Semiconduc Fairchild Semiconduc Fairchild Semiconduc
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Fairchild Fairchild Fairchild
零件包装代码 TO-92 TO-92 TO-92
包装说明 LEAD FREE, TO-92, 3 PIN CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数 3 3 3
制造商包装代码 3LD, TO-92, MOLDED, STD STRAIGHT LD (NO EOL CODE) 3LD, TO-92, MOLDED, STD STRAIGHT LD (NO EOL CODE) 3LD, TO-92, MOLDED, STD STRAIGHT LD (NO EOL CODE)
Reach Compliance Code compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE - LOW NOISE
外壳连接 ISOLATED - ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 0.1 A - 0.1 A
集电极-发射极最大电压 30 V - 30 V
配置 SINGLE - SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 200 - 420
JEDEC-95代码 TO-92 - TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 - O-PBCY-T3
JESD-609代码 e1 - e1
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
最高工作温度 150 °C - 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND - ROUND
封装形式 CYLINDRICAL - CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度） NOT APPLICABLE - NOT APPLICABLE
极性/信道类型 NPN - NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.625 W - 0.625 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 NO - NO
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM - BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT APPLICABLE - NOT APPLICABLE
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
标称过渡频率 (fT) 300 MHz - 300 MHz
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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