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BC817

500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
500 mA, 45 V, NPN, 硅, 小信号晶体管

器件类别：半导体分立半导体

厂商名称：HTSEMI（ Jin Yu Semiconductor ）

厂商官网：http://www.htsemi.com

参数预览参数对比

器件参数

参数名称

属性值

端子数量

3

晶体管极性

NPN

最大集电极电流

0.5000 A

最大集电极发射极电压

45 V

加工封装描述

SOT-23, 3 PIN

状态

CONSULT MFR

包装形状

矩形的

包装尺寸

SMALL OUTLINE

表面贴装

Yes

端子形式

GULL WING

端子涂层

锡铅

端子位置

双

包装材料

塑料/环氧树脂

结构

单一的

元件数量

1

晶体管元件材料

硅

最大环境功耗

0.2500 W

晶体管类型

通用小信号

最小直流放大倍数

100

额定交叉频率

100 MHz

文档预览

BC871

TRANSISTOR (NPN)

BC817-16

BC817-25

BC817-40

FEATURES

For general AF applications

High collector current

High current gain

Low collector-emitter saturation voltage

Complementary types: BC807 (PNP)

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

SOT-23

MAXIMUM RATINGS (T

A

=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V

CBO

V

CEO

V

EBO

I

C

P

C

Tj

T

stg

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Value

50

45

5

0.5

0.3

150

-55-150

Units

V

V

V

A

W

℃

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

Collecter capactiance

Transition frequency

Symbol

V

CBO

V

CEO

V

EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE(1)

h

FE(2)

V

CE

(sat)

V

BE

(sat)

V

BE

C

ob

f

T

Test

conditions

MIN

50

45

5

0.1

0.1

100

40

0.7

1.2

1.2

10

100

V

V

V

pF

MHz

600

MAX

UNIT

V

V

V

μA

μA

I

C

= 10μA, I

E

=0

I

C

= 10mA, I

B

=0

I

E

= 1μA, I

C

=0

V

CB

= 45 V , I

E

=0

V

EB

= 4V, I

C

=0

V

CE

= 1V, I

C

= 100mA

V

CE

= 1V, I

C

= 500mA

I

C

= 500mA, I

B

= 50mA

I

C

= 500mA, I

B

= 50mA

V

CE

= 1 V, I

C

= 500mA

V

CB

=10V ,f=1MHz

V

CE

= 5 V,

f=100MHz

I

C

= 10mA

CLASSIFICATION OF

Rank

Range

Marking

h

FE

(1)

BC817-16

100-250

6A

BC817-25

160-400

6B

BC817-40

250-600

6C

１　

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Ｄ½½½：２０１１／０５

BC871

Typical Characteristics

２　

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Ｄ½½½：２０１１／０５

参数对比

与BC817相近的元器件有：BC817-16、BC817-25、BC817-40。描述及对比如下：

型号	BC817	BC817-16	BC817-25	BC817-40
描述	500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
端子数量	3	3	3	3
晶体管极性	NPN	NPN	NPN	NPN
最大集电极电流	0.5000 A	0.5000 A	0.5000 A	0.5000 A
最大集电极发射极电压	45 V	45 V	45 V	45 V
加工封装描述	SOT-23, 3 PIN	SOT-23, 3 PIN	绿色, 塑料 PACKAGE-3	SOT-23, 3 PIN
状态	CONSULT MFR	TRANSFERRED	DISCONTINUED	DISCONTINUED
包装形状	矩形的	矩形的	矩形的	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes	Yes	Yes	Yes
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	双	双	双	双
包装材料	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂
结构	单一的	单一的	单一的	单一的
元件数量	1	1	1	1
晶体管元件材料	硅	硅	硅	硅
最大环境功耗	0.2500 W	0.3300 W	0.3000 W	0.3300 W
晶体管类型	通用小信号	通用小信号	通用小信号	通用小信号
最小直流放大倍数	100	60	160	250
额定交叉频率	100 MHz	170 MHz	100 MHz	200 MHz

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