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BC850CE6327

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：SIEMENS

厂商官网：http://www.infineon.com/

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参数预览

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

SIEMENS

包装说明

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

其他特性

LOW NOISE

最大集电极电流 (IC)

0.1 A

集电极-发射极最大电压

45 V

配置

SINGLE

最小直流电流增益 (hFE)

420

JESD-30 代码

R-PDSO-G3

元件数量

端子数量

最高工作温度

150 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

极性/信道类型

NPN

功耗环境最大值

0.33 W

认证状态

Not Qualified

表面贴装

YES

端子形式

GULL WING

端子位置

DUAL

晶体管应用

SWITCHING

晶体管元件材料

SILICON

标称过渡频率 (fT)

250 MHz

VCEsat-Max

0.6 V

Base Number Matches

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