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BC858BW

RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:ROHM(罗姆半导体)

厂商官网:https://www.rohm.com/

器件标准:

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器件:BC858BW

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
0.1 A
集电极-发射极最大电压
30 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
210
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e1
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
PNP
最大功率耗散 (Abs)
0.2 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
10
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
250 MHz
Base Number Matches
1
参数对比
与BC858BW相近的元器件有:BC858B。描述及对比如下:
型号 BC858BW BC858B
描述 RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 30 V 30 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 210 210
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e1 e1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.3 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz
Base Number Matches 1 1
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