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BCW60FFE6327

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：SIEMENS

厂商官网：http://www.infineon.com/

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参数 预览
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
SIEMENS
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
其他特性
LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)
0.1 A
集电极-发射极最大电压
32 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
90
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
NPN
功耗环境最大值
0.33 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
250 MHz
VCEsat-Max
0.55 V
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