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BD436

Bipolar Transistors - BJT 4A 32V 36W PNP

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:ON Semiconductor(安森美)

厂商官网:http://www.onsemi.cn

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器件:BD436

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器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
ON Semiconductor
是否无铅
含铅
包装说明
PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN
针数
3
制造商包装代码
77-09
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
4 A
集电极-发射极最大电压
32 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
50
JEDEC-95代码
TO-126
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
PNP
功耗环境最大值
36 W
最大功率耗散 (Abs)
36 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
2 MHz
VCEsat-Max
0.5 V
Base Number Matches
1
参数对比
与BD436相近的元器件有:BD438。描述及对比如下:
型号 BD436 BD438
描述 Bipolar Transistors - BJT 4A 32V 36W PNP Bipolar Transistors - BJT 4A 45V 36W PNP
包装说明 PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 4 A 4 A
集电极-发射极最大电压 32 V 45 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50 40
JEDEC-95代码 TO-126 TO-126
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP PNP
功耗环境最大值 36 W 36 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 2 MHz 2 MHz
VCEsat-Max 0.5 V 0.6 V
Base Number Matches 1 1
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