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BF2030E6327

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-143, 4 PIN

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Infineon(英飞凌)

厂商官网：http://www.infineon.com/

器件标准：

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Infineon(英飞凌)
零件包装代码
SOT-143
包装说明
SOT-143, 4 PIN
针数
4
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
其他特性
LOW NOISE
外壳连接
SOURCE
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
10 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.04 A
最大漏极电流 (ID)
0.04 A
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带
ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码
R-PDSO-G4
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
4
工作模式
DUAL GATE, DEPLETION MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.2 W
最小功率增益 (Gp)
20 dB
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
文档预览
BF2030...
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
•
For low noise, high gain controlled
input stages up to 1GHz
•
Operating voltage 5V
Drain
AGC
HF
Input
G2
G1
R
G1
V
GG
HF Output
+ DC
GND
EHA07461
ESD
:
E
lectro
s
tatic
d
ischarge sensitive device, observe handling precaution!
Class 2 (2000V - 4000V) pin to pin
H
uman
B
ody
M
odel
Type
Package
Pin Configuration
Marking
BF2030
BF2030R
BF2030W
Maximum Ratings
Parameter
SOT143
SOT143R
SOT343
1= S
1= D
1= D
2=D
2=S
2=S
3=G2
3=G1
3=G1
4=G1
4=G2
4=G2
-
-
-
-
-
-
NDs
NDs
NDs
Symbol
V
DS
I
D
±I
G1/2SM
+V
G1SE
P
tot
Value
8
40
10
6
200
200
Unit
V
mA
V
mW
Drain-source voltage
Continuous drain current
Gate 1/ gate 2-source current
Gate 1 (external biasing)
Total power dissipation
T
S
≤
76 °C, BF2030, BF2030R
T
S
≤
94 °C, BF2030W
Storage temperature
Channel temperature
T
stg
T
ch
-55 ... 150
150
°C
1
Sep-29-2004
BF2030...
Thermal Resistance
Parameter
Channel - soldering point
1)
BF2030/ BF2030R
BF2030W
Symbol
R
thchs
≤
370
≤
280
Value
Unit
K/W
Electrical Characteristics
Parameter
DC Characteristics
Drain-source breakdown voltage
I
D
= 20 µA,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 0
Gate1-source breakdown voltage
+I
G1S
= 10 mA,
V
G2S
= 0 ,
V
DS
= 0
Gate2-source breakdown voltage
+I
G2S
= 10 mA,
V
G1S
= 0 ,
V
DS
= 0
Gate1-source leakage current
V
G1S
= 5 V,
V
G2S
= 0 ,
V
DS
= 0
Gate2-source leakage current
V
G2S
= 5 V,
V
G1S
= 0 ,
V
DS
= 0
Drain current
V
DS
= 5 V,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 4 V
Drain-source current
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
R
G1
= 100
kΩ
Gate1-source pinch-off voltage
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
I
D
= 20 µA
Gate2-source pinch-off voltage
V
DS
= 5 V,
I
D
= 20 µA
1For calculation of
R
thJA
please refer to Application Note Thermal Resistance
Symbol
min.
V
(BR)DS
+V
(BR)G1SS
+V
(BR)G2SS
+I
G1SS
+I
G2SS
I
DSS
I
DSX
V
G1S(p)
V
G2S(p)
10
6
6
-
-
-
-
0.3
0.3
Values
typ.
-
-
-
-
-
-
12
0.5
0.6
max.
-
15
15
50
50
50
-
-
-
Unit
V
nA
µA
mA
V
2
Sep-29-2004
BF2030...
Electrical Characteristics
Parameter
AC Characteristics
Symbol
min.
(verified by random sampling)
g
fs
C
g1ss
27
-
31
2.4
-
2.8
mS
pF
Forward transconductance
V
DS
= 5 V,
I
D
= 10 mA,
V
G2S
= 4 V
Gate1 input capacitance
V
DS
= 5 V,
I
D
= 10 mA,
V
G2S
= 4 V,
f
= 1 MHz
Output capacitance
V
DS
= 5 V,
I
D
= 10 mA,
V
G2S
= 4 V,
f
= 1 MHz
Power gain
V
DS
= 5 V,
I
D
= 10 mA,
V
G2S
= 4 V,
f
= 800 MHz
Noise figure
V
DS
= 5 V,
I
D
= 10 mA,
V
G2S
= 4 V,
f
= 800 MHz
Gain control range
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4...0 V,
f
= 800 MHz
∆G
p
40
50
-
F
-
1.5
2.2
dB
G
p
20
23
-
dB
C
dss
-
1.3
-
Values
typ.
max.
Unit
3
Sep-29-2004
BF2030...
Total power dissipation
P
tot
=
ƒ(T
S
)
BF2030, BF2030R
Total power dissipation
P
tot
=
ƒ(T
S
)
BF2030W
220
mW
220
mA
180
160
180
160
P
tot
140
120
100
80
60
40
20
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
P
tot
140
120
100
80
60
40
20
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
T
S
Drain current
I
D
=
ƒ(I
G1
)
V
G2S
= 4V
28
mA
24
22
20
Output characteristics I
D
=
ƒ(V
DS
)
V
G2S
= 4V
V
G1S
= Parameter
20
mA
1.4V
16
14
1.3V
I
D
I
D
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
µA
100
12
1.2V
10
8
6
1V
1.1V
4
2
0
0
0.8V
1
2
3
4
5
6
7
8
V
10
I
G1
V
DS
4
Sep-29-2004
BF2030...
Gate 1 current
I
G1
=
ƒ(V
G1S
)
V
DS
= 5V
V
G2S
= Parameter
210
µA
180
165
150
3.5V
4V
Gate 1 forward transconductance
g
fs
=
ƒ(I
D
)
V
DS
= 5V,
V
G2S
= Parameter
40
mS
4V
30
3V
I
G1
135
120
105
90
75
60
45
30
15
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
V
2V
2.5V
3V
g
fs
25
2.5V
20
2V
15
10
5
3
0
0
4
8
12
16
20
24
mA
30
V
DS
I
D
Drain current
I
D
=
ƒ(V
G1S
)
V
DS
= 5V
V
G2S
= Parameter
30
mA
4V
Drain current
I
D
=
ƒ(V
GG
)
V
DS
= 5V,
V
G2S
= 4V,
R
G1
= 100kΩ
(connected to
V
GG,
V
GG=gate1 supply voltage)
13
mA
11
24
22
3V
10
9
20
I
D
I
D
2V
1.5V
V
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6
2
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
5
V
G1S
V
GG
5
Sep-29-2004
查看更多>
参数对比
与BF2030E6327相近的元器件有：BF2030E6433、BF2030WE6327、BF2030RE6327、BF2030RE6433、BF2030WE6433。描述及对比如下：
型号 BF2030E6327 BF2030E6433 BF2030WE6327 BF2030RE6327 BF2030RE6433 BF2030WE6433
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-143, 4 PIN RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-143, 4 PIN RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-343, 4 PIN RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-143R, 4 PIN RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-143R, 4 PIN RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-343, 4 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 SOT-143 SOT-143 SC-82 SOT-143 SOT-143 SC-82
包装说明 SOT-143, 4 PIN SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SOT-343, 4 PIN SOT-143R, 4 PIN SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数 4 4 4 4 4 4
Reach Compliance Code unknown compli unknown unknown compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 10 V 10 V 10 V 10 V 10 V 10 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A
最大漏极电流 (ID) 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4 4 4
工作模式 DUAL GATE, DEPLETION MODE DUAL GATE, DEPLETION MODE DUAL GATE, DEPLETION MODE DUAL GATE, DEPLETION MODE DUAL GATE, DEPLETION MODE DUAL GATE, DEPLETION MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W
最小功率增益 (Gp) 20 dB 20 dB 20 dB 20 dB 20 dB 20 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1 1 -
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L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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