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BF431L

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Motorola ( NXP )

厂商官网:https://www.nxp.com

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code
unknown
其他特性
LOW NOISE
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
0.03 A
基于收集器的最大容量
1 pF
集电极-发射极最大电压
15 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
30
最高频带
S BAND
JESD-30 代码
R-PDSO-G4
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
4
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
NPN
功耗环境最大值
0.3 W
最大功率耗散 (Abs)
0.3 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
3800 MHz
Base Number Matches
1
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