BF909AR

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

厂商官网：https://www.nxp.com/

参数预览参数对比

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)

包装说明

Reach Compliance Code

unknown

配置

Single

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.04 A

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JESD-609代码

最高工作温度

150 °C

极性/信道类型

N-CHANNEL

表面贴装

YES

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

文档预览

参数对比

与BF909AR相近的元器件有：575S25DC。描述及对比如下：

型号	BF909AR	575S25DC
描述	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	Temperature Compensated Crystal Oscillator

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器件捷径:

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