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BFQ31AR

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, SOT-23, 3 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Diodes

厂商官网:http://www.diodes.com/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Diodes
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
0.1 A
基于收集器的最大容量
1.7 pF
集电极-发射极最大电压
15 V
配置
SINGLE
最高频带
ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
元件数量
1
端子数量
3
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
NPN
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
600 MHz
文档预览
SOT23 NPN SILICON PLANAR
VHF/UHF TRANSISTOR
ISSUE 4 – MARCH 2001
PARTMARKING DETAILS
BFQ31A
– S4
BFQ31AR – S5
BFQ31A
C
B
E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Base Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
30
15
3
100
50
330
-55 to +150
UNIT
V
V
V
mA
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off
Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Static Forward Current
Transfer Ratio
Transition
Frequency
Output Capacitance
Input Capacitance
Noise Figure
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
h
FE
f
T
C
obo
C
ibo
N
100
600
1.7
2.0
6.0
MHz
pF
pF
dB
30
15
3
0.01
0.4
1.0
BFQ31A
MAX.
V
V
V
I
C
=1.0
µ
A, I
E
=0
I
C
=3mA, I
B
=0*
I
E
=10
µ
A, I
C
=0
V
CB
=15V, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=1mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
I
C
=3mA, V
CE
=1V
I
C
=4mA, V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
=10V, f=1MHz
V
CB
=0.5V, f=1MHz
I
C
=1mA, V
CE
=6V
R
s
=400
, f=60MHz
UNIT
CONDITIONS.
µ
A
V
V
*Measured under pulsed conditions.
Spice parameter data is available upon request for this device
TBA
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参数对比
与BFQ31AR相近的元器件有:BFQ31ATA、BFQ31A。描述及对比如下:
型号 BFQ31AR BFQ31ATA BFQ31A
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, SOT-23, 3 PIN TRANSISTOR UHF/VHF NPN SOT23-3 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, SOT-23, 3 PIN
厂商名称 Diodes - Diodes
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant - compliant
ECCN代码 EAR99 - EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A - 0.1 A
基于收集器的最大容量 1.7 pF - 1.7 pF
集电极-发射极最大电压 15 V - 15 V
配置 SINGLE - SINGLE
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND - ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN - NPN
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES - YES
端子形式 GULL WING - GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
标称过渡频率 (fT) 600 MHz - 600 MHz
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