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BLF6G10-200RN

SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:NXP(恩智浦)

厂商官网:https://www.nxp.com

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
NXP(恩智浦)
包装说明
ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
针数
2
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
外壳连接
SOURCE
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
49 A
最大漏极电流 (ID)
49 A
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带
ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码
R-CDFM-F2
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
225 °C
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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