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BLF884P112

RF MOSFET Transistors 50V 240mOhms

器件类别：半导体分立半导体

厂商名称：NXP(恩智浦)

厂商官网：https://www.nxp.com

参数参数对比

器件参数

参数名称

属性值

产品种类
Product Category

RF MOSFET Transistors

制造商
Manufacturer

NXP(恩智浦)

RoHS

Details

Transistor Polarity

N-Channel

Id - Continuous Drain Current

650 mA

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

104 V

Rds On - Drain-Source Resistance

240 mOhms

技术
Technology

Si

Gain

21 dB at 860 MHz

Output Power

150 W

最大工作温度
Maximum Operating Temperature

+ 150 C

安装风格
Mounting Style

SMD/SMT

封装 / 箱体
Package / Case

SOT-1121A-5

系列
Packaging

Tube

Configuration

Dual

Operating Frequency

470 MHz to 860 MHz

工厂包装数量
Factory Pack Quantity

60

类型
Type

RF Power MOSFET

Vgs - Gate-Source Voltage

11 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1.9 V

参数对比

与BLF884P112相近的元器件有：BLF884PS112。描述及对比如下：

型号	BLF884P112	BLF884PS112
描述	RF MOSFET Transistors 50V 240mOhms	RF MOSFET Transistors UHF PWR LDMOS TRNSTR
产品种类 Product Category	RF MOSFET Transistors	RF MOSFET Transistors
制造商 Manufacturer	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
RoHS	Details	Details
Transistor Polarity	N-Channel	N-Channel
Id - Continuous Drain Current	650 mA	650 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	104 V	104 V
Rds On - Drain-Source Resistance	240 mOhms	240 mOhms
技术 Technology	Si	Si
Gain	21 dB at 860 MHz	21 dB at 860 MHz
Output Power	150 W	150 W
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C	+ 150 C
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	SOT-1121A-5	SOT-1121B-5
系列 Packaging	Tube	Tube
Configuration	Dual	Dual
Operating Frequency	470 MHz to 860 MHz	470 MHz to 860 MHz
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	60	60
类型 Type	RF Power MOSFET	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage	11 V	11 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.9 V	1.9 V

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