参数对比
与BLT80-T相近的元器件有:BLT80,115。描述及对比如下:
型号 |
BLT80-T |
BLT80,115 |
描述 |
UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
TRANS NPN 10V 250MA SOT223 |
是否Rohs认证 |
符合 |
符合 |
厂商名称 |
NXP(恩智浦) |
NXP(恩智浦) |
包装说明 |
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
PLASTIC, SC-73, 4 PIN |
Reach Compliance Code |
unknow |
compliant |
ECCN代码 |
EAR99 |
EAR99 |
其他特性 |
HIGH RELIABILITY |
HIGH RELIABILITY |
外壳连接 |
COLLECTOR |
COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) |
0.25 A |
0.25 A |
基于收集器的最大容量 |
3.5 pF |
3.5 pF |
集电极-发射极最大电压 |
10 V |
10 V |
配置 |
SINGLE |
SINGLE |
最高频带 |
ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 |
R-PDSO-G4 |
R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 |
e3 |
e3 |
元件数量 |
1 |
1 |
端子数量 |
4 |
4 |
封装主体材料 |
PLASTIC/EPOXY |
PLASTIC/EPOXY |
封装形状 |
RECTANGULAR |
RECTANGULAR |
封装形式 |
SMALL OUTLINE |
SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) |
260 |
260 |
极性/信道类型 |
NPN |
NPN |
认证状态 |
Not Qualified |
Not Qualified |
表面贴装 |
YES |
YES |
端子面层 |
TIN |
Tin (Sn) |
端子形式 |
GULL WING |
GULL WING |
端子位置 |
DUAL |
DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 |
40 |
40 |
晶体管应用 |
AMPLIFIER |
AMPLIFIER |
晶体管元件材料 |
SILICON |
SILICON |