Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT
Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT
BP 104 F
BP 104 FS
BP 104 F
BP 104 FS
Wesentliche Merkmale
•
•
•
•
Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm
Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
BP 104 FS: geeignet für Vapor-Phase Löten
und IR-Reflow Löten
Features
•
•
•
•
Especially suitable for applications of 950 nm
Short switching time (typ. 20 ns)
DIL plastic package with high packing density
BP 104 FS: suitable for vapor-phase and
IR-reflow soldering
Anwendungen
• IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Typ
Type
BP 104 F
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P84
Gehäuse
Package
Applications
• IR remote control of hi-fi and TV sets, video
tape recorders, dimmers, remote controls of
various equipment
• Photointerrupters
DIL-Gehäuse, schwarzes Epoxy-Gießharz,
Kathodenkennzeichnung: Fähnchen am Anschluß
DIL package, black epoxy resin
Cathode marking: flag on lead
DIL/SMT-Gehäuse, schwarzes Epoxy-Gießharz,
Kathodenkennzeichnung: Langer, breiter Anschluß
DIL/SMT package, black epoxy resin
Cathode marking: long broad lead
BP 104 FS
Q62702-P1646
2001-02-21
1
BP 104 F, BP 104 FS
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Kennwerte
(T
A
= 25
°
C,
λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Fotostrom
Photocurrent
V
R
= 5 V,
E
e
= 1 mW/cm
2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
Quantenausbeute
Quantum yield
Symbol
Symbol
Wert
Value
34 (≥ 25)
Einheit
Unit
µA
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 … + 100
20
150
Einheit
Unit
°C
V
mW
T
op
;
T
stg
V
R
P
tot
I
P
λ
S max
λ
950
800 … 1100
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
H
ϕ
4.84
2.20
×
2.20
mm
2
mm
×
mm
0.5
0.3 (BP 104 FS)
±
60
2 (≤ 30)
0.70
0.90
mm
Grad
deg.
nA
A/W
Electrons
Photon
I
R
S
λ
η
2001-02-21
2
BP 104 F, BP 104 FS
Kennwerte
(T
A
= 25
°
C,
λ
= 950 nm)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Leerlaufspannung,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Open-circuit voltage
Kurzschlußstrom,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
Ω;
V
R
= 5 V;
λ
= 850 nm;
I
p
= 800
µA
Durchlaßspannung,
I
F
= 100 mA,
E
= 0
Forward voltage
Kapazität,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V
Detection limit
Symbol
Symbol
Wert
Value
330 (≥ 250)
17
20
Einheit
Unit
mV
µA
ns
V
O
I
SC
t
r
,
t
f
V
F
C
0
TC
V
TC
I
NEP
1.3
48
– 2.6
0.18
3.6
×
10
–14
V
pF
mV/K
%/K
W
-----------
-
Hz
cm
×
Hz
-------------------------
-
W
D*
6.1
×
10
12
2001-02-21
3
BP 104 F, BP 104 FS
Relative Spectral Sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
100
S
rel
%
80
OHF00368
Photocurrent
I
P
=
f
(E
e
),
V
R
= 5 V
Open-Circuit Voltage
V
O
=
f
(
E
e
)
Ι
P
10
3
µ
A
OHF01056
Total Power Dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
160
mW
P
tot
140
120
100
OHF00958
10
4
mV
V
O
10
3
10
2
V
O
60
10
1
10
2
80
60
40
10
0
Ι
P
10
1
40
20
20
0
700
800
900
1000
nm
λ
1200
10
-1
10
0
10
1
10
2
µ
W/cm
10
0
10
4
2
0
0
20
40
60
E
e
80 ˚C 100
T
A
Dark Current
I
R
=
f
(
V
R
),
E
= 0
4000
pA
OHFD1781
Capacitance
C
=
f
(
V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
60
C
pF
50
OHF01778
Dark Current
I
R
=
f
(
T
A
),
V
R
= 10 V,
E
= 0
10
3
OHF00082
Ι
R
nA
10
2
Ι
R
3000
40
2000
30
10
1
20
1000
10
0
10
0
0
5
10
15
V
R
V 20
0
-2
10
10
-1
10
0
10
1
V 10
2
V
R
10
-1
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
A
Directional Characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
40
30
20
10
ϕ
0
1.0
OHF01402
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
2001-02-21
4
BP 104 F, BP 104 FS
Maßzeichnung
Package Outlines
BP 104 F
0.6 (0.024)
0.4 (0.016)
0.8 (0.031)
0.6 (0.024)
4.0 (0.157)
3.7 (0.146)
4.5 (0.177)
4.3 (0.169)
1.2 (0.047)
0.7 (0.028)
0.3 (0.012)
0.8 (0.031)
0.6 (0.024)
1.8 (0.071)
1.4 (0.055)
0.35 (0.014)
0.2 (0.008)
0.6 (0.024)
0.4 (0.016)
0 ... 5˚
5.08 (0.200)
spacing
Photosensitive area
2.20 (0.087) x 2.20 (0.087)
GEOY6075
BP 104 FS
1.2 (0.047)
1.1 (0.043)
0...0.1
(0...0.004)
0.3 (0.012)
Chip position
1.1 (0.043)
0.9 (0.035)
6.7 (0.264)
6.2 (0.244)
4.5 (0.177)
4.3 (0.169)
0.9 (0.035)
0.7 (0.028)
1.6 (0.063)
±0.2 (0.008)
1.7 (0.067)
1.5 (0.059)
4.0 (0.157)
3.7 (0.146)
Photosensitive area
Cathode lead
2.20 (0.087) x 2.20 (0.087)
Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch).
2001-02-21
5
0...5
˚
0.2 (0.008)
0.1 (0.004)
GEOY6861
3.5 (0.138)
3.0 (0.118)
0.6 (0.024)
0.4 (0.016)
0.5 (0.020)
0.6 (0.024)
0.4 (0.016)
2.2 (0.087)
1.9 (0.075)
Cathode marking
5.4 (0.213)
4.9 (0.193)
Chip position
