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BSM100GAL120D

Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:SIEMENS

厂商官网:http://www.infineon.com/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
SIEMENS
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Reach Compliance Code
unknown
其他特性
CHOPPER SWITCH
外壳连接
ISOLATED
最大集电极电流 (IC)
100 A
集电极-发射极最大电压
1200 V
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值
6.2 V
门极-发射极最大电压
20 V
JESD-30 代码
R-PUFM-X7
元件数量
1
端子数量
7
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
N-CHANNEL
功耗环境最大值
1000 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
UNSPECIFIED
端子位置
UPPER
晶体管应用
POWER CONTROL
晶体管元件材料
SILICON
最大开启时间(吨)
220 ns
标称接通时间 (ton)
180 ns
VCEsat-Max
3.3 V
参数对比
与BSM100GAL120D相近的元器件有:BSM100GB120D。描述及对比如下:
型号 BSM100GAL120D BSM100GB120D
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
厂商名称 SIEMENS SIEMENS
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Reach Compliance Code unknown unknown
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 100 A 100 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值 6.2 V 6.2 V
门极-发射极最大电压 20 V 20 V
JESD-30 代码 R-PUFM-X7 R-PUFM-X7
元件数量 1 2
端子数量 7 7
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 1000 W 1000 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
最大开启时间(吨) 220 ns 220 ns
标称接通时间 (ton) 180 ns 180 ns
VCEsat-Max 3.3 V 3.3 V
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