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BSM600GA120DLC

Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:EUPEC [eupec GmbH]

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BSM600GA120DLC 在线购买

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器件:BSM600GA120DLC

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
EUPEC [eupec GmbH]
包装说明
MODULE-5
Reach Compliance Code
unknown
外壳连接
ISOLATED
最大集电极电流 (IC)
900 A
集电极-发射极最大电压
1200 V
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码
R-XUFM-X5
元件数量
1
端子数量
5
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
N-CHANNEL
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
UNSPECIFIED
端子位置
UPPER
晶体管元件材料
SILICON
标称断开时间 (toff)
650 ns
标称接通时间 (ton)
190 ns
Base Number Matches
1
文档预览
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
BSM600GA120DLC
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
BSM600GA120DLC
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
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Modul / module
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Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.
It is valid with the appropriate technical explanations.
3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
BSM600GA120DLC
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
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