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BSO130N03MS G

MOSFET N-Ch 30V 9A DSO-8

器件类别:半导体    分立半导体    晶体管    MOSFET   

厂商名称:Infineon(英飞凌)

厂商官网:http://www.infineon.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Infineon(英飞凌)
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
13 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.56 W
配置
Single Quad Drain Triple Source
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
BSO130N03
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
下降时间
3.8 ns
上升时间
3.8 ns
工厂包装数量
2500
典型关闭延迟时间
8.4 ns
典型接通延迟时间
7.3 ns
单位重量
540 mg
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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