型号
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| 型号 | BSS214NW | BSS214NW L6327 | BSS214NWH6327 |
|---|---|---|---|
| 描述 | OptiMOS鈩? Small-Signal-Transistor | mosfet N-CH 20v 1.5A sot-323 | 漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.5A 栅源极阈值电压：1.2V @ 3.7uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 1.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | - | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | - | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code | compliant | - | compliant |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED | - | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 20 V | - | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 1.5 A | - | 1.5 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.14 Ω | - | 0.14 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | - | R-PDSO-G3 |
| 元件数量 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 3 | - | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.5 W | - | 0.5 W |
| 表面贴装 | YES | - | YES |
| 端子形式 | GULL WING | - | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL |
| 晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
| Base Number Matches | 1 | - | 1 |
