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BSX20

NPN switching transistor

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Micro Electronics

厂商官网:http://www.microelectr.com.hk

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Micro Electronics
包装说明
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
0.5 A
集电极-发射极最大电压
15 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
20
JEDEC-95代码
TO-18
JESD-30 代码
O-MBCY-W3
元件数量
1
端子数量
3
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
极性/信道类型
NPN
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
WIRE
端子位置
BOTTOM
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
500 MHz
最大关闭时间(toff)
7 ns
最大开启时间(吨)
21 ns
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参数对比
与BSX20相近的元器件有:BSX19。描述及对比如下:
型号 BSX20 BSX19
描述 NPN switching transistor NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
厂商名称 Micro Electronics Micro Electronics
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 15 V 15 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 10
JEDEC-95代码 TO-18 TO-18
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 500 MHz 400 MHz
最大关闭时间(toff) 7 ns 7 ns
最大开启时间(吨) 21 ns 18 ns
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