BTW48-1200M

SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),50A I(T),TO-208AA

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

ST(意法半导体)

包装说明

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

EAR99

标称电路换相断开时间

50 µs

最大直流栅极触发电流

60 mA

最大直流栅极触发电压

3 V

最大维持电流

30 mA

最大漏电流

5 mA

通态非重复峰值电流

500 A

最大通态电流

50000 A

最高工作温度

125 °C

最低工作温度

-55 °C

断态重复峰值电压

1200 V

表面贴装

触发设备类型

SCR

参数对比

与BTW48-1200M相近的元器件有：BTW48-400M、BTW48-200M、BTW48-600M、BTW48-800M。描述及对比如下：

型号	BTW48-1200M	BTW48-400M	BTW48-200M	BTW48-600M	BTW48-800M
描述	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),50A I(T),TO-208AA	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),50A I(T),TO-208AA	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),50A I(T),TO-208AA	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),50A I(T),TO-208AA	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),50A I(T),TO-208AA
厂商名称	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大直流栅极触发电流	60 mA	60 mA	60 mA	60 mA	60 mA
最大直流栅极触发电压	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
最大维持电流	30 mA	30 mA	30 mA	30 mA	30 mA
最大漏电流	5 mA	5 mA	5 mA	5 mA	5 mA
通态非重复峰值电流	500 A	500 A	500 A	500 A	500 A
最大通态电流	50000 A	50000 A	50000 A	50000 A	50000 A
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
断态重复峰值电压	1200 V	400 V	200 V	600 V	800 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
触发设备类型	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR
标称电路换相断开时间	50 µs	50 µs	-	50 µs	50 µs